기본적인 DRAM 연산에 대하여
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작성일 21-09-01 16:43본문
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그리고 새로운 행 번지들은 CAS 사이클에 의해 오직 반복적으로 기록되어 진다.기본적인 DRAM 연산에 대하여
레포트/공학기술
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기본적인 DRAM 연산
비동기적인 연산
페이지 모드 엑세스 (Fast Page Access)
빠른 페이지 모드 (Fast Page Mode)
하이퍼 페이지 모드 (EDO)
버스트 EDO (BEDO)
동기적인 연산
JEDEC SDRAM
PC100 SDRAM
DDR SDRAM
향상된 SDRAM (ESDRAM)
프로토콜 기반 DRAM
DRDRAM
SLDRAM
페이지 모드 엑세스 (Fast Page Access)
특별한 엑세스 모드를 구현함으로, 디자이너들은 일정한 종류의 엑세스에 대해 몇몇 내부적인 연산들을 없앨 수 있었다.
약간의 어플리케이션들이 이러한 타입의 엑세스로부터 많은 잇점을 가지는 반면, 거의 잇점을 가지지 못하는 것들도 있따 본래의 페이지 모드는 매우 빠르게 향상되고 대체 되었기 때문에, 이러한 타입의 메모리를 볼 수 없을 것이다. 만일 발견했다 하더라도 이후에 나온 엑세스 모드들의 잇점을 고려해 본다면 공짜로 얻었다 하더라도 별 가치를 느끼지 못할 것이다.
빠른 페이지 모드 (Fast Page Mode)
FPM은 페이지 사이클 동안에 행 주소 셋업 시간을 줄임으로써 단순한 페이지 모드에…(생략(省略))
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다.
이 방법을 사용하여, RAS 신호는 데이터의 전체 페이지가 sense amps (엑세스 transistor(트랜지스터) ) 상에 유지될 수 있도록 활성화 상태로 유지된다된다. 가장 최초의 구현은 페이지 모드 엑세스라고 불리는 것이었다. 이것은 열 번지 설정과 시간 유지를 위한 시간이 필요하지 않기 때문에, 더 빠른 랜덤 엑세스 읽기를 제공한다.