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[레포트(report) ] △제너다이오드[1]

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작성일 20-05-30 14:41

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이 회로에서는 컬렉터전류와 베이스전류가 전원과 병렬로 인가되어 …(투비컨티뉴드 )

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레포트/기타




[레포트(report) ] △제너다이오드[1]

다.

제너다이오드의 소비전력 Pz는


Pz = Vz * Iz


로 표현되는데 이 값이 최대치(Data Sheet 상에 표시)이하인 경우는 제너다이오드가 파손되지 않고 원상 복귀된다된다.

제너다이오드의 속성 에서 항복전압 Vz에 도달하기까지 역방향 전류는 무시할 수 있다 Vz에서는 급경사적으로 나타나므로 전류는 거의 수직적으로 나타난다. 대부분의 항복영역구간에 걸쳐 출력전압은 Vz와 같게 된다된다.

이 지점 이상에서는 다이오드에 걸리는 전압은 증가하지 않고, 전류만 증가하게 되는데 이러한 속성 을 이용하여 레퍼런스 전압원을 만들 수 있다

예를 들어, 만약 3V의 역전압에서 제너항복이 일어나는 다이오드를 만든다면, 이것을 이용하여 + 혹은 - 3V의 기준전압을 만들 수가 있다

PN접합의 항복(Breakdown)영역에서 동작속성 이 나타나도록 제작된 다이오드로 주로 정전압용으로 사용된다된다.순서

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△제너다이오드
제너다이오드는 다이오드에 역방향 전압을 가했을 때 전류가 거의 흐르지 않다가 어느 정도 이상의 고전압을 가하면 접합면에서 제너 항복이 일어나 갑자기 전류가 흐르게 되는 지점이 발생하게 된다된다.

제너(Zener)항복은 애벌런취(Avalanche)항복과 달리 다이오드가 강하게 도핑(Doupping)되면 공핍층이 대단히 좁아지므로 공핍층에서 생기는 전계의 세기가 300,000[V/cm]정도가 되면 가전자대 전자가 전도대로 충분히 끌어 올려지는데 이러한 형태에 의한 항복을 말하며, 고전계방출(Highh Field Emission)이라고도 한다. PN반도체의 도핑레벨(Doupping Level)을 change(변화)시켜서 2 ~ 200 [V]의 항복범위를 갖도록 해당 전압별로 제작된다된다.


△바이어스
1)고정바이어스회로
그림 1-1에서 고정바이어스회로(fixed bias circuit)라고 하는 가장 간단한 회로를 introduce한다. 제너다이오드의 정격용량은 1/4 ~ 50[W]정도이다.
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