PMOS, NMOS, CMOS의 구성
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작성일 20-02-19 22:57본문
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다)NMOS와 PMOS의 차이점
2)CMOS (complementary metal-oxide semiconductor)
가)CMOS란?
인버터 회로에 p-채널 transistor와 n-채널 transistor를 같이 구성하여 동작 속도는 늦지만 소비 전력이 아주 작은 반도체. 포켓 계산기나 손목시계 등의 휴대용 제품에 많이 사용된다
PMOS, NMOS, CMOS의 구성
1)PMOS (p-channel metal-oxide semiconductor)&NMOS (n-channel metal-oxide semiconductor)
가)NMOS란?
N 채널 transistor로 구성되고, P형 기판을 사용하며 전류 통로를 흐르는 캐리어가 전자인 반도체. 속도는 빠르지만 전력 소모가 크다.
나)PMOS란?
N형 금속 산화막 반도체(NMOS)보다 스위칭 속도가 느리다.
PMOS, NMOS, CMOS의 구성
목차
1)PMOS
2)CMOS
본문내용
가)NMOS란?
N 채널 transistor로 구성되고, P형 기판을 사용하며 전류 통로를 흐르는 캐리어가 전자인 반도체. 속도는 빠르지만 전력 소모가 크다. 서로 다른 dophant로doping 된 기판 위에 형성된 MOS 구조이기에 Gate voltage도 반대로 작용하며 majority carrier도 각각 다르다. 산화막에 의해 전류 통로로부터 절연된 게이트 전극에 전압을 인가하여, 소스 전극과 드레인 전극 간에 전류 통로를 제어함으로써 동작하는 transistor를 MOS transistor라고 한다. NMOS는 그 반대로 일어난다.
다)NMOS와 PMOS의 차이점
PMOS와 NMOS의 차이는 각각 p-Channel (n-type Si) 구성인지n-Channel(p-type si)에 구성되어 있는지의 차이다.
나)PMOS란?
N형 금속 산화막 반도체(NMOS)보다 스위칭 속도가 느리다.
2)CMOS (complementary metal-oxide semiconductor)
가)CMOS란?
인버터 회로에 p-채널 transistor와 n-채널 transistor를 같이 구성하여 동작 속도는 늦지만 소비 전력이 아주 작은 반…(skip)
PMOS, NMOS, CMOS의 구성의 구성에 관하여 사진과 理論.
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다. 일반적으로 Si에서는 hole의 mobility보다 eletron의 mobility가 더 크기에 NMOS쪽이 좀 더 속도가 빠르다. 산화막에 의해 전류 통로로부터 절연된 게이트 전극에 전압을 인가하여, 소스 전극과 드레인 전극 간에 전류 통로를 제어함으로써 동작하는 transistor를 MOS transistor라고 한다.PMOS의 경우라면 n-type 기판에 형성된 p-channel을 사용하기에 gate에 - voltage를 가할 때 depletion이 일어나고 +이면 accumulation이 일어난다. P형 금속 산화막 반도체(PMOS)는 정공을 캐리어로 하지만, NMOS는 전자를 캐리어로 하기 때문에 PMOS보다 스위칭 속도가 2~3배 빠르고, 전원의 극성이 플러스이기 때문에 양극성 집적 회로(IC)를 접속하기가 쉽다. P형 금속 산화막 반도체(PMOS)는 정공을 캐리어로 하지만, NMOS는 전자를 캐리어로 하기 때문에 PMOS보다 스위칭 속도가 2~3배 빠르고, 전원의 극성이 플러스이기 때문에 양극성 집적 회로(IC)를 접속하기가 쉽다.